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增加时光:2018-11-20

                               


肖特基二极管是以其发现人肖特基博士(Schottky)定名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是应用P型半导体与N型半导体打仗造成PN结道理制造的,而是应用金属与半导体打仗造成的金属-半导体结道理制造的。因而,SBD也称为金属-半导体(打仗)二极管或名义势垒二极管,它是一种热载流子二极管。

SBD存在开关频率高和正向压下降等长处,但其反向击穿电压比拟低,大多不高于60V,最高仅约100V,以至于限度了其利用范畴。像在开关电源(SMPS)和功率因数校订(PFC)电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路顶用600V~1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等,只有应用疾速恢复外延二极管(FRED)和超疾速恢复二极管(UFRD)。UFRD的反向规复时光Trr也在20ns以上,基本不克不及满意像空间站等范畴用1MHz~3MHz的SMPS须要。

即便是硬开关为100kHz的SMPS,因为UFRD的导通消耗和开关消耗均较大,壳温很高,需用较大的散热器,从而使SMPS体积和分量增添,不合乎小型化和轻浮化的开展趋向。因此,开展100V以上的高压SBD,始终是人们研讨的课题和存眷的热门。近几年,SBD已获得了冲破性的停顿,150V和 200V的高压SBD曾经上市,应用新型资料制造的超越1kV的SBD也研制胜利,从而为其利用注入了新的活力与活气。肖特基二极管也进入到了各人的生涯。

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